[发明专利]一种半导体器件的制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括步骤1）提供一包括半导体衬底、浅沟槽隔离及介质层的半导体器件结构，于半导体衬底背面制作具有刻蚀窗口的光刻掩膜；2）以第一刻蚀气体对所述半导体衬底进行刻蚀，使刻蚀停止于距所述浅沟槽隔离的上方第一距离的位置；3）以第二刻蚀气体对所述半导体衬底继续进行刻蚀，使刻蚀停止于距所述浅沟槽隔离的上方第二距离的位置；4）以第三刻蚀气体对所述半导体衬底继续进行刻蚀，直至露出所述刻蚀窗口下方的浅沟槽隔离及介质层，形成用于制造焊盘的沟槽。本发明的刻蚀方法可以获得表面平整的、半导体衬底、浅沟槽隔离及介质层均没被过度刻蚀的沟槽，有利于后续金属焊盘的制作，从而提高器件性能。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一半导体结构，至少包括：半导体衬底、间隔制作于所述半导体衬底中的浅沟槽隔离以及结合于所述浅沟槽隔离及所述半导体衬底正面的介质层，于所述半导体衬底背面制作具有刻蚀窗口的光刻掩膜，且所述刻蚀窗口垂向对应有浅沟槽隔离区域及介质层区域；2)以第一刻蚀气体对所述刻蚀窗口下方的半导体衬底进行刻蚀，使刻蚀停止于距所述浅沟槽隔离的上方第一距离的位置；3)以第二刻蚀气体对所述刻蚀窗口下方的半导体衬底继续进行刻蚀，使刻蚀停止于距所述浅沟槽隔离的上方第二距离的位置，所述第二距离小于第一距离；4)以第三刻蚀气体对所述刻蚀窗口下方的半导体衬底继续进行刻蚀，直至露出所述刻蚀窗口下方的浅沟槽隔离及介质层，形成用于制造焊盘的沟槽；其中，所述第一刻蚀气体对所述半导体衬底的刻蚀速率大于所述第二刻蚀气体；所述第二刻蚀气体对所述半导体衬底的刻蚀速率大于所述第三刻蚀气体；所述第三刻蚀气体对所述半导体衬底和所述浅沟槽隔离的刻蚀选择比大于所述第二刻蚀气体，并且，所述第三刻蚀气体对所述半导体衬底和所述介质层的刻蚀选择比大于所述第二刻蚀气体。