[发明专利]一种半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1)提供一半导体结构，至少包括：半导体衬底、间隔制作于所述半导体衬底中的浅沟槽隔离以及结合于所述浅沟槽隔离及所述半导体衬底正面的介质层，于所述半导体衬底背面制作具有刻蚀窗口的光刻掩膜，且所述刻蚀窗口垂向对应有浅沟槽隔离区域及介质层区域；

2)以第一刻蚀气体对所述刻蚀窗口下方的半导体衬底进行刻蚀，使刻蚀停止于距所述浅沟槽隔离的上方第一距离的位置；

3)以第二刻蚀气体对所述刻蚀窗口下方的半导体衬底继续进行刻蚀，使刻蚀停止于距所述浅沟槽隔离的上方第二距离的位置，所述第二距离小于第一距离；

4)以第三刻蚀气体对所述刻蚀窗口下方的半导体衬底继续进行刻蚀，直至露出所述刻蚀窗口下方的浅沟槽隔离及介质层，形成用于制造焊盘的沟槽；

其中，所述第一刻蚀气体对所述半导体衬底的刻蚀速率大于所述第二刻蚀气体；所述第二刻蚀气体对所述半导体衬底的刻蚀速率大于所述第三刻蚀气体；所述第三刻蚀气体对所述半导体衬底和所述浅沟槽隔离的刻蚀选择比大于所述第二刻蚀气体，并且，所述第三刻蚀气体对所述半导体衬底和所述介质层的刻蚀选择比大于所述第二刻蚀气体。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述半导体器件为背照式图像传感器。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述半导体衬底的材料为硅，所述浅沟槽隔离和所述介质层的材料为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述光刻掩膜包括图形化的硬掩膜层和位于所述硬掩膜层上的图形化的光刻胶层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述第一刻蚀气体为CF₄、Cl₂、CHF₃及Ar的混合气体；所述第二刻蚀气体包括CF₄、Cl₂、CHF₃的混合气体；所述第三刻蚀气体为HBr、Cl₂、He及O₂的混合气体。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：步骤2)中，CF₄的流量范围为30～50sccm，Cl₂的流量范围为70～90sccm，CHF₃的流量范围为50～70sccm，Ar的流量范围为40～60sccm。

7.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：步骤3)中，CF₄的流量范围为30～50sccm，Cl₂的流量范围为70～90sccm，CHF₃的流量范围为50～70sccm。

8.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：步骤4)中，HBr的流量范围为90～110sccm，Cl₂的流量范围为50～70sccm，He的流量范围为15～25sccm，O₂的流量范围为5～15sccm。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：步骤2)于所述半导体衬底中刻蚀出第一沟槽，所述第一沟槽的截面形状为倒梯形。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：步骤2)所述的第一距离大于或等于650nm；步骤3)所述的第二距离大于或等于550nm。