[发明专利]发光二极管晶粒的制造方法有效
| 申请号： | 201310440192.3 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104465897B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杨顺贵;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 叶小勤 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒的制造方法，其包括以下步骤提供一基板；在该基板表面形成缓冲层；在该缓冲层表面形成过渡层，该过渡层为InGaN材质；继续在该过渡层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层；对该过渡层进行活化处理，即对该过渡层进行激光照射，该激光的波长为420nm‑520nm，且活化温度为1000‑1400℃以及将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒的制造方法，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成过渡层，该过渡层为InGaN材质；继续在所述过渡层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层；对所述过渡层进行活化处理，其中对该过渡层进行激光照射，该激光的波长为420nm‑520nm，且活化温度为1000‑1400℃；及将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。
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