[发明专利]发光二极管晶粒的制造方法有效
| 申请号： | 201310440192.3 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104465897B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杨顺贵;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 叶小勤 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管晶粒的制造方法，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板表面形成缓冲层；
在所述缓冲层表面形成过渡层，该过渡层为InGaN材质；
继续在所述过渡层上生长磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层；
对所述过渡层进行活化处理，其中对该过渡层进行激光照射，该激光的波长为420nm-520nm，且活化温度为1000-1400℃；及
将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。
2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，该第一半导体层为N型半导体层，第二半导体层为P型半导体层。
3.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，该过渡层的厚度为至
4.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，该缓冲层为未掺杂的氮化镓材料制成。
5.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，该缓冲层、过渡层和磊晶层均是通过有机金属化学气相沉积法、分子束磊晶法或卤化物化学气相磊晶法生长而成的。
6.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于，该基板为蓝宝石基板。
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