[发明专利]无源器件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310438676.4 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104465629B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 唐丽贤;包小燕;董天化;霍燕丽;杜海;黄涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种无源器件结构及其形成方法，在电容结构的表面形成有电荷吸附层，所述电荷吸附层紧贴连接线，所述电荷吸附层能够吸附电荷，在进行后续工艺时，产生的电荷均能够由电荷吸附层将电荷导出，避免电荷聚积在所述电容结构中，从而能够保护电容结构不被损伤，进而能够提高无源器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 无源 器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种无源器件结构，包括：前层、电容结构、连接线以及层间介质层；其中，所述电容结构形成于所述前层的表面，所述电容结构表面形成有电荷吸附层，所述连接线与所述电容结构电连接，所述电荷吸附层与所述连接线的侧壁紧贴，层间介质层形成于所述前层和电荷吸附层的表面，并隔离所述连接线。
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