[发明专利]无源器件结构及其形成方法

权利要求书

1.一种无源器件结构，包括：

前层、电容结构、连接线以及层间介质层；其中，所述电容结构形成于所述前层的表面，所述电容结构表面形成有电荷吸附层，所述连接线与所述电容结构电连接，所述电荷吸附层与所述连接线的侧壁紧贴，层间介质层形成于所述前层和电荷吸附层的表面，并隔离所述连接线。

2.如权利要求1所述的无源器件结构，其特征在于，所述电容结构包括下极板、上极板以及介质层，所述介质层形成于所述上极板和下极板之间，所述连接线分别与所述下极板和上极板电连接。

3.如权利要求2所述的无源器件结构，其特征在于，所述介质层的材质为氮化硅或者氧化硅。

4.如权利要求2所述的无源器件结构，其特征在于，所述上极板、下极板以及连接线的材质均为铝。

5.如权利要求2所述的无源器件结构，其特征在于，所述无源器件结构还包括第一金属盘、氮氧化硅层、第二金属盘以及钝化层；其中，所述第一金属盘形成于所述前层的表面，所述连接线与所述第一金属盘电连接，所述第一金属盘与所述电容结构由层间介质层隔离开，所述氮氧化硅层形成于所述电荷吸附层的表面，所述第二金属盘形成于所述连接线的表面，所述第二金属盘之间由所述层间介质层隔离开，所述钝化层形成于所述层间介质层的表面。

6.如权利要求5所述的无源器件结构，其特征在于，所述第一金属盘以及第二金属盘的材质均为铝。

7.如权利要求6所述的无源器件结构，其特征在于，所述氮氧化硅层的消光系数的范围为0.55～0.75。

8.如权利要求5所述的无源器件结构，其特征在于，所述钝化层的材质为氮氧化硅和氮化硅的混合物。

9.如权利要求5所述的无源器件结构，其特征在于，所述下极板、上极板、第一金属盘和第二金属盘与所述连接线相连接的表面均形成有势垒层，所述下极板与第一金属盘与所述前层相连接的表面形成有势垒层，所述连接线的两侧壁均形成有势垒层。

10.如权利要求9所述的无源器件结构，其特征在于，所述势垒层的材质为Ti和TiN的混合物。

11.如权利要求5所述的无源器件结构，其特征在于，所述第一金属盘的表面形成有电荷吸附层和氮氧化硅层，所述电荷吸附层和氮氧化硅层与所述连接线的侧壁紧贴。

12.如权利要求1所述的无源器件结构，其特征在于，所述电荷吸附层的材质为富硅氮氧化硅。

13.如权利要求12所述的无源器件结构，其特征在于，所述电荷吸附层的厚度范围是300埃～700埃。

14.如权利要求12所述的无源器件结构，其特征在于，所述电荷吸附层的消光系数的范围为1.4～1.8。

15.一种无源器件结构的形成方法，用于形成如权利要求1至14中任意一种无源器件结构，所述方法包括步骤：

提供前层；

在所述前层表面依次形成下极板层、介质层和上极板层；

刻蚀部分上极板层，形成上极板，刻蚀停止于介质层；

在所述上极板以及介质层的表面形成电荷吸附层；

依次刻蚀电荷吸附层、介质层以及下极板层，暴露出部分前层，并形成下极板和第一金属盘；

在所述电荷吸附层以及前层的表面形成第一层间介质层；

刻蚀所述第一层间介质层，形成连接线孔，所述连接线孔依次暴露出部分上极板、下极板以及第一金属盘；

在所述连接线孔中形成连接线。

16.如权利要求15所述的无源器件结构的形成方法，其特征在于，在形成连接线之后，在所述连接线的表面形成第二金属盘。

17.如权利要求16所述的无源器件结构的形成方法，其特征在于，在形成第二金属盘之后，在所述第二金属盘表面以及第一层间介质层表面形成第二层间介质层。

18.如权利要求16所述的无源器件结构的形成方法，其特征在于，在形成第二层间介质层之后，在所述第二层间介质层的表面形成钝化层。