[发明专利]低温烧结硅酸锆研磨介质及其制备方法有效
申请号: | 201310437286.5 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN103496958A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 嵇兴林 | 申请(专利权)人: | 浙江湖磨抛光磨具制造有限公司 |
主分类号: | C04B35/16 | 分类号: | C04B35/16;C04B35/622 |
代理公司: | 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 | 代理人: | 李大刚 |
地址: | 313012 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种低温烧结硅酸锆研磨介质及其制备方法。本发明按照重量计算,包括硅酸锆75-90份、衡阳泥5-15份、碳酸钙1-3份、氧化铝5-15份、氧化镁0.1-1份和氧化锆1-10份。本发明具有磨耗低、真密度高、硬度高、抗压强度高的优点,具有非常理想的经济效益和社会效益。 | ||
搜索关键词: | 低温 烧结 硅酸 研磨 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
低温烧结硅酸锆研磨介质,其特征在于:按照重量计算,包括硅酸锆75‑90份、衡阳泥5‑15份、碳酸钙1‑3份、氧化铝5‑15份、氧化镁0.1‑1份和氧化锆1‑10份。
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