[发明专利]低温烧结硅酸锆研磨介质及其制备方法有效
申请号: | 201310437286.5 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN103496958A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 嵇兴林 | 申请(专利权)人: | 浙江湖磨抛光磨具制造有限公司 |
主分类号: | C04B35/16 | 分类号: | C04B35/16;C04B35/622 |
代理公司: | 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 | 代理人: | 李大刚 |
地址: | 313012 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 烧结 硅酸 研磨 介质 及其 制备 方法 | ||
1.低温烧结硅酸锆研磨介质,其特征在于:按照重量计算,包括硅酸锆75-90份、衡阳泥5-15份、碳酸钙1-3份、氧化铝5-15份、氧化镁0.1-1份和氧化锆1-10份。
2.根据权利要求1所述的低温烧结硅酸锆研磨介质,其特征在于:按照重量计算,包括硅酸锆80-90份、衡阳泥8-12份、碳酸钙1-3份、氧化铝8-12份、氧化镁0.1-1份和氧化锆3-8份。
3.根据权利要求2所述的低温烧结硅酸锆研磨介质,其特征在于:按照重量计算,包括硅酸锆85份、衡阳泥10份、碳酸钙2份、氧化铝10份、氧化镁0.5份和氧化锆5份。
4.根据权利要求1至3任一项所述的低温烧结硅酸锆研磨介质的制备方法,其特征在于:具体包括以下步骤;
a、将所述的硅酸锆、衡阳泥、碳酸钙、氧化铝、氧化镁和氧化锆按比例称取并充分混合,得A料;
b、将A料经高速搅拌磨并加工成平均粒径小于0.5微米,得到B料;
c、将B料经过喷雾干燥塔进行烘干造粒,干燥塔烘干温度为130度,蒸发水量为每小时40公斤,待充分烘干后得到C料;
d、将C料经滚动成球机加工后得到D料;
e、将D料经窑炉进行烧制,烧制的温度为1400度且持续3小时,自然冷却得到E料;
f、将E料自磨抛光,筛选规定的尺寸得到成品。
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