[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片的生长方法有效
| 申请号： | 201310435856.7 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103515495B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 杨兰;魏世祯;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管芯片的生长方法，属于半导体技术领域。方法包括：提供一衬底；在衬底上依次层叠生长缓冲层、未掺杂的GaN层、n型层和多量子阱层；在多量子阱层上生长p型层和电流扩展层；在多量子阱层上生长p型层，具体包括：在多量子阱层上交替生长第一子层和第二子层，并对第一子层和第二子层进行Mg的掺杂，第一子层在纯氮气气氛下生长，第二子层在纯氢气气氛下生长。本发明通过将第一子层在纯氮气气氛下生长，有利于提高掺杂的Mg的活化，Mg的活化的提高可以提高空穴浓度；第二子层在纯氢气气氛下生长，由于氢气的强还原性，可以减少晶体中的杂质，增加了空穴的注入效率，提高了晶体的质量和芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 芯片 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管芯片的生长方法，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次层叠生长缓冲层、未掺杂的GaN层、n型层和多量子阱层；在所述多量子阱层上生长p型层和电流扩展层；其特征在于，所述在所述多量子阱层上生长p型层，具体包括：在所述多量子阱层上交替生长第一子层和第二子层，并对所述第一子层和所述第二子层进行Mg的掺杂，所述第一子层在纯氮气气氛下生长，所述第二子层在纯氢气气氛下生长；所述第一子层由AlaInbGaN制成，其中，0≤a<1，0≤b<1；所述第二子层由AlxGayN制成，其中，0≤x<1，0<y<1；当所述第一子层由AlaInbGaN制成，且0<b<1时，采用不同的生长温度生长所述第一子层和所述第二子层，所述第一子层的生长温度低于所述第二子层的生长温度；当所述第一子层由AlaInbGaN制成，且b＝0时，采用相同的温度生长所述第一子层和所述第二子层。
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