[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片的生长方法有效
| 申请号： | 201310435856.7 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103515495B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 杨兰;魏世祯;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 芯片 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基发光二极管芯片的生长方法，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次层叠生长缓冲层、未掺杂的GaN层、n型层和多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长p型层和电流扩展层；
其特征在于，所述在所述多量子阱层上生长p型层，具体包括：
在所述多量子阱层上交替生长第一子层和第二子层，并对所述第一子层和所述第二子层进行Mg的掺杂，所述第一子层在纯氮气气氛下生长，所述第二子层在纯氢气气氛下生长。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一子层和所述第二子层的厚度皆为5～50nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二子层由AlxGayN制成，其中，0≤x<1，0<y<1。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一子层由AlaInbGaN制成，其中，0≤a<1，0≤b<1。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，各所述第一子层的组分相同。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述第一子层由AlaInbGaN制成，且0<b<1时，
采用不同的生长温度生长所述第一子层和所述第二子层，所述第一子层的生长温度低于所述第二子层的生长温度。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述第一子层由AlaInbGaN制成，且b=0时，
采用相同的温度生长所述第一子层和所述第二子层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电股份有限公司，未经华灿光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310435856.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：现场诱导低共熔体系制备生物柴油的方法
- 下一篇：用于感应式地传输电能的设备
