[发明专利]一种掺铝氧化锌透明导电薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201310435149.8 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103526169A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 屈飞;古宏伟;张腾;丁发柱;彭星煜;王洪艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种掺铝氧化锌透明导电薄膜的制备方法。该方法是在氩氢混合气氛、室温条件下，采用AZO陶瓷靶直流磁控溅射工艺制备AZO薄膜。其工艺参数为：真空度0.08Pa～0.4Pa，氢气与氩气流量比40：0.5～40：8（SCCM），溅射功率180W，靶基距160mm，沉积温度为室温。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺铝氧化锌透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法是在氩氢混合气氛、室温条件下，采用AZO陶瓷靶直流磁控溅射工艺制备AZO薄膜，制备步骤如下：1）将玻璃片用王水（VHCl：VHNO3=3：1）浸泡15min，用去离子水冲洗干净，再先后分别在丙酮和酒精中超声清洗5min，随后放入烘箱干燥待用；2）将步骤1）清洗后的玻璃片装卡在磁控溅射设备样品台上，安装AZO靶材，调整靶基距至160mm；3）对磁控溅射沉积室抽真空，并对氧气和氢气管道预抽真空，待磁控溅射沉积室真空度优于8.5×10‑4Pa，打开氩气及氢气气体流量计，调节氩气流量为40SCCM，调节氢气流量为0.5～8SCCM，调节闸板阀至工作气压为0.08Pa～0.4Pa；4）打开直流溅射电源，调节至溅射功率为180W，预溅射10min，打开样品挡板，沉积30min，沉积完成后，关闭样品挡板，关闭溅射电源，关闭气体，关闭真空系统。
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