[发明专利]TiO2溶胶法修饰制备多孔硅的方法有效

专利信息
申请号: 201310435042.3 申请日: 2013-09-23
公开(公告)号: CN103499555B 公开(公告)日: 2017-01-11
发明(设计)人: 李建林;李玮;孙越;徐杰;蒋云坤;曹斌;郑铁松 申请(专利权)人: 南京师范大学
主分类号: G01N21/45 分类号: G01N21/45
代理公司: 南京知识律师事务所32207 代理人: 卢亚丽
地址: 210097 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及TiO2溶胶法修饰制备稳定的多孔硅方法,该方法利用制备稳定的TiO2溶胶,通过甩膜技术在新鲜刻蚀的多孔硅表面修饰一层TiO2溶胶,经过500℃煅烧固化,通过三次重复甩膜,煅烧后,在多孔硅表面修饰了一层纳米级TiO2薄膜,通过优化制备工艺,制备的TiO2薄膜没有影响多孔硅的传感特性,在pH值在2‑12范围内,该TiO2修饰的多孔硅具有稳定性光学特性,灵敏度和修饰前在同一数量级,吸附蛋白A达到吸附平衡需要的时间比修饰前加长,可以进行光学非标记生物检测。
搜索关键词: tio2 溶胶 修饰 制备 多孔 方法
【主权项】:
一种TiO2溶胶法修饰制备稳定的用于光学非标记生物检测的多孔硅的方法,其特征在于该方法是先制备稳定的TiO2溶胶,通过甩膜方法在新鲜刻蚀的通过臭氧进行羟基化修饰的多孔硅表面修饰一层TiO2溶胶,经过500℃煅烧固化,通过三次重复甩膜,煅烧后,在多孔硅表面修饰了一层纳米级TiO2薄膜;具体包括以下步骤:(1)通过电化学刻蚀方法制备多孔硅,刻蚀液为氢氟酸:无水乙醇体积比为3:1;(2)多孔硅的修饰:臭氧对步骤(1)得到的多孔硅表面进行羟基化修饰;(3)稳定TiO2溶胶的制备:通过钛酸四丁酯:无水乙醇:三乙醇胺体积比为5:30:1配置;(4)甩膜法制备TiO2溶胶法修饰制备稳定的多孔硅:100μL步骤(3)配置的溶胶,通过甩膜仪以转速2000rpm,10秒将溶胶覆盖在多孔硅表面,在500℃马弗炉中煅烧1小时,后重复以上过程3次,得到TiO2修饰的多孔硅。
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