[发明专利]TiO2溶胶法修饰制备多孔硅的方法有效
| 申请号： | 201310435042.3 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103499555B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李建林;李玮;孙越;徐杰;蒋云坤;曹斌;郑铁松 | 申请（专利权）人： | 南京师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/45 | 分类号： | G01N21/45 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 卢亚丽 |
| 地址： | 210097 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tio2 溶胶 修饰 制备 多孔 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种TiO2溶胶法修饰制备稳定的多孔硅方法，其特征在于该方法是先制备稳定的TiO2溶胶,通过甩膜方法在新鲜刻蚀的多孔硅表面修饰一层TiO2溶胶，经过500℃煅烧固化，通过三次重复甩膜，煅烧后，在多孔硅表面修饰了一层纳米级TiO2薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，包括以下步骤：
（1）通过电化学刻蚀方法制备多孔硅，刻蚀液为氢佛酸：无水乙醇体积比为3:1；
（2）多孔硅的修饰：臭氧对步骤（1）得到的多孔硅表面进行羟基化修饰；
(3)稳定TiO2溶胶的制备：通过钛酸四丁酯：无水乙醇：三乙醇胺体积比为5:30:1配置；
（4）甩膜法制备TiO2溶胶法修饰制备稳定的多孔硅：100μL(3)配置的溶胶，通过甩膜仪以转速2000rpm，10秒将溶胶覆盖在多孔硅表面，在500℃马弗炉中煅烧1小时，后重复以上过程3次，得到TiO2修饰的多孔硅。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于步骤（1）中，电流密度为620mA/cm2，刻蚀时间为20秒。
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