[发明专利]一种半导体硅片脱胶工艺有效
| 申请号： | 201310431966.6 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103464418A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 王少刚;邢玉军;范猛;王帅;张全红;李立伟 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;B08B3/02;B08B3/10 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 孙春玲 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体硅片脱胶工艺，包括以下步骤：1）将切割完毕的单晶硅棒倒置在装有特定夹具的中转车内；2）鼓泡预清洗，即将单晶硅片放置在装满自来水的槽中利用鼓泡管进行预清洗，以去除硅片表面砂浆；3）使用温水对硅片进行喷淋；4）对硅片进行超声预清洗，即在将经过喷淋的单晶硅片放置在超声温水中进行浸泡，以去除硅片缝隙的砂浆；5）使用温水浸泡脱胶；6）温水鼓泡，将单晶硅片与粘接条之间脱离；7）温水取片，即将脱离的硅片放置在温水中，擦拭硅片立面残留胶。上述工艺克服了现有脱胶工艺造成的半导体硅片不良率高，实现了不同厚度半导体单晶硅片切割完毕后自动脱胶技术，并能保证硅片表面无花片，崩边、缺口等不良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 硅片 脱胶 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体硅片脱胶工艺，其特征在于：包括以下步骤：1）将切割完毕的单晶硅棒倒置在装有特定夹具的中转车内；2）鼓泡预清洗，即将单晶硅片放置在装满自来水的槽中利用鼓泡管进行预清洗，以去除硅片表面砂浆；3）使用温水对硅片进行喷淋；4）对硅片进行超声预清洗，即在将经过喷淋的单晶硅片放置在超声温水中进行浸泡，以去除硅片缝隙的砂浆；5）使用温水浸泡脱胶；6）温水鼓泡，将单晶硅片与粘接条之间脱离；7）温水取片，即将脱离的硅片放置在温水中，擦拭硅片立面残留胶。
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