[发明专利]一种半导体硅片脱胶工艺

权利要求书

1.一种半导体硅片脱胶工艺，其特征在于：包括以下步骤：

1）将切割完毕的单晶硅棒倒置在装有特定夹具的中转车内；

2）鼓泡预清洗，即将单晶硅片放置在装满自来水的槽中利用鼓泡管进行预清洗，以去除硅片表面砂浆；

3）使用温水对硅片进行喷淋；

4）对硅片进行超声预清洗，即在将经过喷淋的单晶硅片放置在超声温水中进行浸泡，以去除硅片缝隙的砂浆；

5）使用温水浸泡脱胶；

6）温水鼓泡，将单晶硅片与粘接条之间脱离；

7）温水取片，即将脱离的硅片放置在温水中，擦拭硅片立面残留胶。

2.根据权利要求1所述的一种半导体硅片脱胶工艺，其特征在于：所述步骤2）中的预清洗条件为：水温15-25℃，鼓泡用气管直径0.6-1.0cm，气压0.3-0.5kp，时间300-500s。

3.根据权利要求1所述的一种半导体硅片脱胶工艺，其特征在于：所述步骤3）中的喷淋条件为：喷淋使用2-4个喷淋管，往复喷淋时间300-500s，往复周期30-60s，水温控制在25-45℃之间，水压0.1-0.4MPa。

4.根据权利要求1所述的一种半导体硅片脱胶工艺，其特征在于：所述步骤4）中的超声预清洗条件为：浸泡水温30-50℃，时间300-600s，超声频率25-40KHZ,水中混合体积比1-2%的表面活性剂。

5.根据权利要求1所述的一种半导体硅片脱胶工艺，其特征在于：所述步骤5）中的浸泡脱胶条件为：将硅片浸泡在65-75℃的热水中，浸泡水中添加1-2%酸，该酸可选自乳酸、草酸、柠檬酸中的一种，浸泡时间300-600s。

6.根据权利要求1所述的一种半导体硅片脱胶工艺，其特征在于：所述步骤6）中的温水鼓泡条件为：将硅片放置在温水35-50℃，浸泡300-500s，鼓泡35℃。

7.根据权利要求1所述的一种半导体硅片脱胶工艺，其特征在于：所述步骤7）中的温水取片条件为：水温35-50℃。

8.权利要求1所述的一种半导体硅片脱胶工艺适用于厚度为200um-1500um，直径为57.5-200mm的硅片。