[发明专利]一种采用真空镀膜技术制备抗菌薄膜的方法无效
| 申请号： | 201310429273.3 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104451573A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 袁萍 | 申请（专利权）人： | 无锡慧明电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市锡山区锡山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用真空镀膜技术制备抗菌薄膜的方法：在室温条件下，以纯度为99.99％的银为靶材，将0.5mm厚度的聚乙烯薄膜基材固定于样品架上，采用基材在上、靶材在下的结构，再利用磁控溅射技术的溅射方式制备纳米银薄膜层，溅射过程中，采用高纯氩气为工作气体，靶材与基材的距离为200mm，样品架以100mm／s速度移动。本发明在聚乙烯片材表面成功沉积了纳米结构银薄膜，实现聚乙烯片材的抗菌功能化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 真空镀膜 技术 制备 抗菌 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种采用真空镀膜技术制备抗菌薄膜的方法：在室温条件下，以纯度为99.99％的银为靶材，将0.5mm厚度的聚乙烯薄膜基材固定于样品架上，采用基材在下、靶材在上的结构，再利用磁控溅射技术的溅射方式制备纳米银薄膜层，溅射过程中，采用纯度为99.99％氩气为工作气体，靶材与基材的距离为200mm，本底真空度为5×10‑4Pa，薄膜厚度通过膜厚度仪来测量控制。
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