[发明专利]一种LED表面粗化芯片以及制作方法有效
| 申请号： | 201310424414.2 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103456855A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 吴飞翔;陈家洛;陈立人;余长治 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED表面粗化芯片以及制作方法，所述LED芯片包括衬底以及成形在所述衬底上的外延层，所述外延层依次包括n-GaN层、发光层和p-GaN层；所述p-GaN层上成形有透明导电层；以及分别成形在所述n-GaN层和所述透明导电层上的n型电极和p型电极，其中，所述p-GaN层表面设有多个粗化图形；所述透明导电层设有多个开孔图形，使得全部或部分粗化图形暴露在该开孔图形中；本发明即可有效减少或避免全反射现象，进而提高LED芯片的出光效率，又可同时避免产生透明导电层与p-GaN层之间的欧姆接触问题，进而确保LED芯片的电流注入效率，最终有效确保LED芯片的转换效率得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 表面 芯片 以及 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED表面粗化芯片，所述LED芯片包括衬底以及成形在所述衬底上的外延层，所述外延层依次包括n‑GaN层、发光层和p‑GaN层；所述p‑GaN层上成形有透明导电层；以及分别成形在所述n‑GaN层和所述透明导电层上的n型电极和p型电极，其特征在于，所述p‑GaN层表面设有多个粗化图形；所述透明导电层设有多个开孔图形，使得全部或部分粗化图形暴露在该开孔图形中。
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