[发明专利]一种LED表面粗化芯片以及制作方法

权利要求书

1.一种LED表面粗化芯片，所述LED芯片包括衬底以及成形在所述衬底上的外延层，所述外延层依次包括n-GaN层、发光层和p-GaN层；所述p-GaN层上成形有透明导电层；以及分别成形在所述n-GaN层和所述透明导电层上的n型电极和p型电极，其特征在于，所述p-GaN层表面设有多个粗化图形；所述透明导电层设有多个开孔图形，使得全部或部分粗化图形暴露在该开孔图形中。

2.如权利要求1所述的LED表面粗化芯片，其特征在于，所述开孔图形为圆形、椭圆形或多边形形状。

3.如权利要求1所述的LED表面粗化芯片，其特征在于，所述开孔图形的最大尺寸为2-15μm，所述开孔图形之间的间距为5-50μm。

4.如权利要求1所述的LED表面粗化芯片，其特征在于，所述开孔图形排列呈蜂窝型或井字型形状。

5.如权利要求1所述的LED表面粗化芯片，其特征在于，所述开孔图形的总面积占所述LED表面粗化芯片总出光面积的5-25%。

6.如权利要求1所述的LED表面粗化芯片，其特征在于，所述透明导电层的材料选自ITO、ZnO、CdO、Cd₂SnO₄中的任意一种。

7.如权利要求1所述的LED表面粗化芯片，其特征在于，所述衬底的材料选自蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氮化镓、氮化铝和尖晶石中的任意一种。

8.一种如权利要求1-7任意所述的LED表面粗化芯片的制作方法，其特征在于，其操作步骤包括：

a）、在衬底上依次制作n-GaN层、发光层和p-GaN层，所述n-GaN层、发光层和p-GaN层组成外延层；

b）、对所述外延层进行刻蚀工艺处理，得到PN台阶，该PN台阶使得部分n-GaN层暴露出表面；

c）、对所述p-GaN层表面进行粗化工艺处理，得到其表面具有多个粗化图形的p-GaN层；

d）、在上述步骤c）得到的其表面具有多个粗化图形的p-GaN层上制作透明导电层；

e）、对所述透明导电层进行光刻工艺处理，得到具有多个开孔图形的透明导电层，使得全部或部分粗化图形暴露在该开孔图形中；

f）、分别在所述n-GaN层和所述具有多个开孔图形的透明导电层上制作n型电极和p型电极。

9.如权利要求8所述的LED表面粗化芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤c）具体包括：

c10）、在所述p-GaN层表面制作二氧化硅膜；

c20）、对所述二氧化硅膜进行光刻工艺处理，得到具有多个开孔图形的二氧化硅膜；

c30）、以上述步骤c20）得到的具有多个开孔图形的二氧化硅膜作为掩膜，对所述p-GaN层表面进行干法或湿法刻蚀，使得位于开孔图形处的p-GaN层表面分别形成多个粗化图形；

c40）、对所述具有多个开孔图形的二氧化硅膜再次进行光刻工艺处理，得到具有电流阻挡层图形的二氧化硅膜，该二氧化硅膜作为电流阻挡层，所述电流阻挡层介于所述p-GaN层与所述透明导电层之间。

10.如权利要求9所述的LED表面粗化芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤c30）为：以上述步骤c20）得到的具有多个开孔图形的二氧化硅膜作为掩膜，在温度为200-300℃下，采用酸溶液对所述p-GaN层表面进行湿法刻蚀，使得位于开孔图形处的p-GaN层表面分别形成多个粗化图形。