[发明专利]电阻式存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310424207.7 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104465986B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 沈鼎瀛;林孟弘;吴伯伦;李彦德;江明崇 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻式存储器及其制作方法。此方法是先于基底上依序形成第一电极、可变电阻层与掩膜层；然后，于基底上形成覆盖第一电极、可变电阻层与掩膜层的介电层。接着，进行蚀刻工艺，于介电层与掩膜层中形成开口，此开口暴露出部分可变电阻层。而后，于开口中形成第二电极。之后，于第二电极上形成导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻式存储器的制作方法，其特征在于，包括：于基底上依序形成第一电极、可变电阻层与掩膜层；于所述基底上形成介电层，所述介电层覆盖所述第一电极、所述可变电阻层与所述掩膜层；进行蚀刻工艺，于所述介电层与所述掩膜层中形成开口，所述开口暴露出部分所述可变电阻层；于所述开口中形成第二电极；以及于所述第二电极上形成导电层，其中所述导电层配置于所述开口中，其中所述掩膜层包括由氧化物层与氮化物层组成的复合层或由氧化物层与氮氧化物层组成的复合层，且所述开口的形成方法包括：进行干式蚀刻工艺，移除部分所述介电层与所述掩膜层中的部分所述氮化物层或所述氮氧化物层；以及进行湿式蚀刻工艺，移除所述掩膜层中的部分所述氧化物层。
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