[发明专利]电阻式存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种电阻式存储器的制作方法，其特征在于，包括：

于基底上依序形成第一电极、可变电阻层与掩膜层；

于所述基底上形成介电层，所述介电层覆盖所述第一电极、所述可变电阻层与所述掩膜层；

进行蚀刻工艺，于所述介电层与所述掩膜层中形成开口，所述开口暴露出部分所述可变电阻层；

于所述开口中形成第二电极；以及

于所述第二电极上形成导电层，其中所述导电层配置于所述开口中，

其中所述掩膜层包括由氧化物层与氮化物层组成的复合层或由氧化物层与氮氧化物层组成的复合层，且所述开口的形成方法包括：

进行干式蚀刻工艺，移除部分所述介电层与所述掩膜层中的部分所述氮化物层或所述氮氧化物层；以及

进行湿式蚀刻工艺，移除所述掩膜层中的部分所述氧化物层。

2.如权利要求1所述的电阻式存储器的制作方法，其中在形成所述掩膜层之后以及在形成所述介电层之前，更包括于所述基底上形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述第一电极、所述可变电阻层与所述掩膜层。

3.如权利要求1所述的电阻式存储器的制作方法，其中所述第一电极、所述可变电阻层与所述掩膜层的形成方法包括：

于所述基底上依序形成电极材料层、可变电阻材料层与掩膜材料层；以及

对所述电极材料层、所述可变电阻材料层与所述掩膜材料层进行图案化工艺。