[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过在晶体管的沟道区域形成锗硅层，可以有效地对晶体管的阈值电压进行调节，使得制造的半导体器件具有不同的阈值电压。本发明的半导体器件，可以采用上述半导体器件的制造方法制造，由于沟道区域具有不同浓度的锗硅层，可以有效地实现对晶体管的阈值电压的调节，具有良好的阈值电压特性。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在半导体衬底上拟形成N型低阈值电压晶体管的区域、拟形成N型高阈值电压晶体管的区域、拟形成P型低阈值电压晶体管的区域和拟形成P型高阈值电压晶体管的区域分别形成第一锗硅层、第二锗硅层、第三锗硅层和第四锗硅层；步骤S102：形成覆盖所述第一锗硅层的第一盖帽层、覆盖所述第二锗硅层的第二盖帽层、覆盖所述第三锗硅层的第三盖帽层以及覆盖所述第四锗硅层的第四盖帽层；步骤S103：在所述第一盖帽层、第二盖帽层、第三盖帽层以及第四盖帽层之上分别形成拟形成的N型低阈值电压晶体管、N型高阈值电压晶体管、P型低阈值电压晶体管和P型高阈值电压晶体管的伪栅极结构，其中所述伪栅极结构包括伪栅极氧化层、伪栅极和栅极侧壁，并在不同区域的所述栅极侧壁之间形成层间介电层，去除所述伪栅极和所述伪栅极氧化层，其中，所述第一锗硅层和所述第二锗硅层中锗的原子百分比低于所述第三锗硅层和所述第四锗硅层中锗的原子百分比。