[发明专利]一种基准电流源无效
申请号: | 201310408172.8 | 申请日: | 2013-09-09 |
公开(公告)号: | CN103472878A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 方健;李源;赵前利;谷洪波;潘华;贾姚瑶 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李顺德;王睿 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及集成电路技术,具体的说是涉及一种基准电流源。本发明所述的一种基准电流源,其特征在于,包括相连接的基准电流产生电路和启动偏置电路,所述基准电流产生电路包括第一至第三PMOS管、第一至第四三极管、第六三极管、第一至第二电阻,所述启动偏置电路包括第五三极管和第三至第四电阻。本发明的有益效果为,具有结构简单、启动电压低以及易于集成的优点,同时还具有较高的精度和较低的启动电压,并降低了生产成本。本发明尤其适用于基准电流源。 | ||
搜索关键词: | 一种 基准 电流 | ||
【主权项】:
一种基准电流源,其特征在于,包括相连接的基准电流产生电路和启动偏置电路,所述基准电流产生电路包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第六三极管Q6、第一电阻R1、第二电阻R2,所述启动偏置电路包括第五三极管Q5和第三电阻R3、第四电阻R4;第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3的源极、第一三极管Q1和第二三极管Q2的发射极以及第五三极管Q5的发射极均接电源VDD;第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3的栅极与第一PMOS管M1的漏极、第六三极管Q6的集电极连接;第二PMOS管M2的漏极与第一电阻R1的一端、第六三极管Q6的发射极和第三三极管Q3的发射极连接;第三PMOS管M3的漏极为基准电流源的输出端Iref;第一三极管Q1的集电极与第三三极管Q3的集电极和基极、第四三极管Q4的基极连接;第一三极管Q1的基极与第二三极管Q2的基极、第五三极管Q5的集电极和第三电阻R3的一端连接;第二三极管Q2的集电极与第六三极管Q6的基极、第四三极管Q4的集电极连接;第四三极管Q4的发射极与第二电阻R2的一端连接;第五三极管Q5的基极连接第三电阻R3的另一端和第四电阻R4的一端;第一电阻R1的另一端、第二电阻R2的另一端和第四电阻R4的另一端均接地。
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