[发明专利]一种基准电流源无效
| 申请号： | 201310408172.8 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103472878A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 方健;李源;赵前利;谷洪波;潘华;贾姚瑶 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基准 电流 | ||
1.一种基准电流源，其特征在于，包括相连接的基准电流产生电路和启动偏置电路，所述基准电流产生电路包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第六三极管Q6、第一电阻R1、第二电阻R2，所述启动偏置电路包括第五三极管Q5和第三电阻R3、第四电阻R4；
第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3的源极、第一三极管Q1和第二三极管Q2的发射极以及第五三极管Q5的发射极均接电源VDD；
第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3的栅极与第一PMOS管M1的漏极、第六三极管Q6的集电极连接；
第二PMOS管M2的漏极与第一电阻R1的一端、第六三极管Q6的发射极和第三三极管Q3的发射极连接；
第三PMOS管M3的漏极为基准电流源的输出端Iref；
第一三极管Q1的集电极与第三三极管Q3的集电极和基极、第四三极管Q4的基极连接；
第一三极管Q1的基极与第二三极管Q2的基极、第五三极管Q5的集电极和第三电阻R3的一端连接；
第二三极管Q2的集电极与第六三极管Q6的基极、第四三极管Q4的集电极连接；
第四三极管Q4的发射极与第二电阻R2的一端连接；
第五三极管Q5的基极连接第三电阻R3的另一端和第四电阻R4的一端；
第一电阻R1的另一端、第二电阻R2的另一端和第四电阻R4的另一端均接地。
2.根据权利要求1所述的一种基准电流源，其特征在于，所述第三三极管Q3和第四三极管Q4的发射极面积之比为8:1。
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