[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201310407948.4 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104425281B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体器件的形成方法，在形成源/漏极、扩展区、栅介质层、栅极以及虚拟侧墙之后，去除所述虚拟侧墙，接着对所述扩展区进行离子注入处理，接着重新形成侧墙，由于离子注入至扩展区能够扩散至所述栅介质层内，从而能够提高所述栅介质层的可靠性，减少HCI以及NBTI效应，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅介质层、栅极以及虚拟侧墙，所述虚拟侧墙形成于所述栅介质层和栅极的两侧，在所述半导体衬底中形成有源/漏极和扩展区，所述源/漏极采用原位掺杂的方式形成在所述侧墙的两侧，所述扩展区位于所述栅介质层和侧墙的下端；去除所述虚拟侧墙，暴露出部分所述扩展区；使用与垂直线呈预定角度的离子束对暴露的扩展区进行离子注入处理，所述扩展区内的注入离子能够扩散至所述栅介质层中；在所述栅极以及栅介质层的两侧形成侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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