[发明专利]一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺

摘要

本发明提供了一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺，通过在较低温度下利用PECVD方法来沉积呈交叉指型交替分布的P型和N型非晶硅薄膜，并且通过采用掩膜版与不同遮板的组合分别沉积P型和N型非晶硅薄膜，来避免现有技术中因刻蚀步骤所引入的损伤，同时，由于不需要频繁的清洗掩膜版和遮板，也简化了HIT电池与IBC电池的结合步骤，适用于工业生产。

主权项

一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺，其特征在于：该工艺包括以下步骤：第一步，对晶体硅进行清洗和制绒，使所述晶体硅的前表面具有绒面陷光结构；第二步，在所述晶体硅的前表面依次沉积非晶硅钝化层、减反射层，并在后表面上沉积非晶硅钝化层；第三步，在所述后表面的非晶硅钝化层上依次放置掩膜版和第一遮板，所述掩膜版包含有覆盖区域、呈交叉指型交替排布的第一镂空区域和第二镂空区域，所述第一遮板遮盖住所述掩膜版的覆盖区域和第一镂空区域，然后采用PECVD方法在所述第二镂空区域的表面沉积N型或者P型非晶硅薄膜；第四步，将所述第一遮板替换为能遮盖所述覆盖区域和第一镂空区域的第二遮板，采用PECVD方法在所述第一镂空区域的表面沉积与第三步中所述非晶硅薄膜导电类型相反的P型或者N型非晶硅薄膜；第五步，将所述第二遮板替换为能遮盖所述掩膜版的覆盖区域的第三遮板，并在所述第一镂空区域和第二镂空区域表面沉积TCO薄膜；第六步，取出所述第三遮板和掩膜版，在所述TCO薄膜表面制备金属电极，形成电池片。