[发明专利]一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺

权利要求书

1.一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺，其特征在于：该工艺包括以下步骤：

第一步，对晶体硅进行清洗和制绒，使所述晶体硅的前表面具有绒面陷光结构；

第二步，在所述晶体硅的前表面依次沉积非晶硅钝化层、减反射层，并在后表面上沉积非晶硅钝化层；

第三步，在所述后表面的非晶硅钝化层上依次放置掩膜版和第一遮板，所述掩膜版包含有覆盖区域、呈交叉指型交替排布的第一镂空区域和第二镂空区域，所述第一遮板遮盖住所述掩膜版的覆盖区域和第一镂空区域，然后采用PECVD方法在所述第二镂空区域的表面沉积N型或者P型非晶硅薄膜；

第四步，将所述第一遮板替换为能遮盖所述覆盖区域和第一镂空区域的第二遮板，采用PECVD方法在所述第一镂空区域的表面沉积与第三步中所述非晶硅薄膜导电类型相反的P型或者N型非晶硅薄膜；

第五步，将所述第二遮板替换为能遮盖所述掩膜版的覆盖区域的第三遮板，并在所述第一镂空区域和第二镂空区域表面沉积TCO薄膜；

第六步，取出所述第三遮板和掩膜版，在所述TCO薄膜表面制备金属电极，形成电池片。

2.如权利要求1所述的一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺，其特征在于：呈交叉指型交替排布的所述第一镂空区域和所述第二镂空区域形状相同。

3.如权利要求2所述的一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺，其特征在于：形状相同的所述第一镂空区域与第二镂空区域的截面可以是长方形、倒梯形或者倒台阶形。

4.如权利要求1所述的一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺，其特征在于：呈交叉指型交替排布的所述第一镂空区域和所述第二镂空区域为等间隔交替分布。

5.如权利要求1所述的一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺，其特征在于：所述掩膜版的高度范围为20-500μm，所述非晶硅钝化层的厚度范围为3-12nm，所述P型或N型非晶硅薄膜的厚度范围为5-20nm,所述TCO薄膜的厚度范围为40-1000nm。

6.如权利要求1所述的一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺，其特征在于：所述晶体硅可以为N型单晶硅、P型单晶硅、N型多晶硅、P型多晶硅中的任一种。

7.如权利要求1所述的一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺，其特征在于：第二步中所述减反射膜可以为采用PECVD与PVD方法制备的SiNx , SiOx, 或者 SiOx/SiNx 叠层，所述非晶硅钝化层可以采用PECVD方法制备。

8.如权利要求1所述的一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺，其特征在于：所述TCO薄膜可以为采用PVD、LPCVD或APCVD方法制备的以ITO、ZnO:B、FTO、GZO或AZO为材料的透明导电层。

9.如权利要求1所述的一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺，其特征在于：所述PECVD方法涉及的工艺温度范围为130-300度。

10.如权利要求1所述的一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺，其特征在于：第六步中制备金属电极可以采用丝网印刷、PVD或电镀方法。