[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：在基底上沿第一方向延伸的导电线和绝缘覆盖线的堆叠结构；多个接触塞，沿第一方向按行布置，并且具有面对导电线的侧壁表面，在侧壁表面和导电线之间具有空气空间；支撑件，设置在绝缘覆盖线和接触塞之间，以限制空气空间的高度。支撑件的宽度沿第一方向改变或者支撑件仅沿第一方向不连续地存在。在制造半导体装置的方法中，在堆叠结构的侧部上形成牺牲间隔件，使间隔件凹陷，在凹陷中形成支撑层，蚀刻支撑层以形成支撑件，然后去除间隔件的剩余部分以提供空气空间。

主权项

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；线性堆叠结构，设置在基底上，并且在基底上沿第一方向纵向地延伸，堆叠结构包括导电线和设置在导电线上的绝缘覆盖线；多个接触塞，沿第一方向按行布置，并且分别具有面对导电线的侧壁表面，在侧壁表面和导电线之间分别具有空气空间，并且每行中相邻的接触塞之间具有空气间隙；支撑件，设置在绝缘覆盖线和所述多个接触塞之间并且在空气空间的顶部，支撑件的在与第一方向垂直的第二方向上的宽度沿着第一方向变化，或者支撑件在第一方向上是不连续的；以及层间绝缘层，设置在线性堆叠结构、所述多个接触塞、支撑件和空气间隙上，层间绝缘层的位于空气间隙上的部分的底表面比层间绝缘层的其他部分的底表面低。