[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底；

线性堆叠结构，设置在基底上，并且在基底上沿第一方向纵向地延伸，堆叠结构包括导电线和设置在导电线上的绝缘覆盖线；

多个接触塞，沿第一方向按行布置，并且分别具有面对导电线的侧壁表面，在侧壁表面和导电线之间分别具有空气空间，并且每行中相邻的接触塞之间具有空气间隙；

支撑件，设置在绝缘覆盖线和所述多个接触塞之间并且在空气空间的顶部，支撑件的在与第一方向垂直的第二方向上的宽度沿着第一方向变化，或者支撑件在第一方向上是不连续的；以及

层间绝缘层，设置在线性堆叠结构、所述多个接触塞、支撑件和空气间隙上，层间绝缘层的位于空气间隙上的部分的底表面比层间绝缘层的其他部分的底表面低。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，支撑件具有面对接触塞的侧壁表面的第一支撑部分以及沿第一方向从所述侧壁表面偏移从而不与侧壁表面面对的第二支撑部分，

第二支撑部分的沿第二方向的宽度小于第一支撑部分的沿第二方向的宽度。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，支撑件包括多个第一支撑部分，所述多个第一支撑部分沿第一方向以规则的间隔彼此分隔开并且分别面对接触塞的侧壁表面。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，支撑件沿第一方向在堆叠结构的整个长度上连续地延伸。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，支撑件沿第一方向在堆叠结构的整个长度上是不连续的。

6.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括置于绝缘覆盖线和支撑件之间的绝缘衬，绝缘衬覆盖导电线的侧部。

7.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括覆盖接触塞的侧壁表面的绝缘间隔件，其中，绝缘间隔件被暴露。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，接触塞的侧壁表面被暴露。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，支撑件包括从由氮化硅、硅碳氮化物、碳氧化硅、氮氧化硅、碳氮化氧化硅、氧化钛、氧化钽、氧化钛钽、氧化硅钽和氧化铝组成的组中选择的至少一种材料。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，支撑件具有包括多个不同材料的支撑层的多层结构。

11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，具有多个有源区；

线性堆叠结构，包括位线和设置在位线上的绝缘覆盖线，其中，堆叠结构在基底上沿第一方向跨过所述多个有源区纵向地延伸；

多个接触塞，与有源区接触，并且具有分别面对位线的侧壁表面，在侧壁表面和位线之间具有空气空间，并且相邻的接触塞之间具有空气间隙；

支撑件，具有被空气空间暴露的底表面以及分别面对绝缘覆盖线和接触塞的相对的侧壁表面，其中，支撑件的在与第一方向垂直的第二方向上的宽度沿第一方向改变，或者支撑件在第一方向上是不连续的；以及

层间绝缘层，设置在线性堆叠结构、所述多个接触塞、支撑件和空气间隙上，层间绝缘层的位于空气间隙上的部分的底表面比层间绝缘层的其他部分的底表面低。

12.如权利要求11所述的半导体装置，所述半导体装置还包括埋置在基底中的字线，字线沿与第一方向不同的方向延伸。

13.如权利要求11所述的半导体装置，其中，空气空间被设置为完全在基底上方并且至少一个绝缘衬设置在空气空间和基底之间。