[发明专利]浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法

摘要

本发明公开了一种浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法，将背抛光与边缘刻蚀工艺整合在一起，克服了现有技术中背面抛光工艺繁琐，设备复杂，生产成本高等不足。本发明的主要步骤为清洗制绒-扩散-印刷或点胶或旋涂腐蚀浆料-加热-清洗-PECVD-丝网印刷-烧结，使背面抛光与边缘刻蚀一步完成，减少了工艺步骤，降低了生产成本，同时也大大降低了化学品和气体的用量，降低了污染。

主权项

一种浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括如下步骤：（a）清洗制绒：将多晶硅片置于硝酸或铬酸和氢氟酸的混合溶液中，所述硝酸或铬酸和氢氟酸的体积比在1:2‑5:1之间；（b）扩散制备PN结：将硅片置于三氯氧磷气氛中进行扩散，扩散温度设置在700℃‑900℃之间；（c）印刷腐蚀浆料：通过丝网印刷工艺将腐蚀浆料均匀覆盖于硅片背面；（d）加热：将背面印刷好腐蚀浆料的硅片进行加热反应，对背面进行抛光，加热温度为150℃‑300℃；（e）清洗：洗去所述腐蚀浆料残余，去除正面磷硅玻璃；（f）采用PECVD技术在正面沉积氮化硅薄膜；（g）采用丝网印刷然后共烧形成合金的方式，在正面形成银电极，背面形成铝背场。