[发明专利]浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法

权利要求书

1.一种浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括如下步骤：

（a）清洗制绒：将多晶硅片置于硝酸或铬酸和氢氟酸的混合溶液中，所述硝酸或铬酸和氢氟酸的体积比在1:2-5:1之间；

（b）扩散制备PN结：将硅片置于三氯氧磷气氛中进行扩散，扩散温度设置在700℃-900℃之间；

（c）印刷腐蚀浆料：通过丝网印刷工艺将腐蚀浆料均匀覆盖于硅片背面；

（d）加热：将背面印刷好腐蚀浆料的硅片进行加热反应，对背面进行抛光，加热温度为150℃-300℃；

（e）清洗：洗去所述腐蚀浆料残余，去除正面磷硅玻璃；

（f）采用PECVD技术在正面沉积氮化硅薄膜；

（g）采用丝网印刷然后共烧形成合金的方式，在正面形成银电极，背面形成铝背场。

2.如权利要求1所述的浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，所述步骤（a）中硝酸或铬酸和氢氟酸的体积比在1:1-4:1之间，反应时间在50-250s之间。

3.如权利要求2所述的浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，所述步骤（b）中，携带三氯氧磷的氮气流量在500-2500ml/min，通气时间在10-30分钟。

4.如权利要求3所述的浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，经过所述步骤（b）扩散后的硅片方块电阻在60-100Ω/□。

5.如权利要求4所述的浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，步骤（c）中，腐蚀浆料含有氢氧化钠或氢氧化钾，所述氢氧化钠或氢氧化钾的质量分数为5%-20%。

6.如权利要求5所述的浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，步骤（d）中，加热温度设置为200℃-250℃之间。

7.如权利要求1所述的浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，在所述步骤（e）中，首先将背面抛光后的硅片浸泡在去离子水中1-5min。

8.如权利要求7所述的浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，在所述步骤（e）中，采用氢氟酸水溶液去除磷硅玻璃，所述氢氟酸的浓度为5%-20%。

9.如权利要求8所述的浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，所述步骤（e）中，去除磷硅玻璃的时长为2-10分钟。

10.如权利要求9所述的浆料腐蚀法制备背面抛光多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，所述步骤（f）中，沉积温度设置为400-500℃，沉积时间为20-40min。