[发明专利]三重图形的形成方法在审
申请号: | 201310398705.9 | 申请日: | 2013-09-04 |
公开(公告)号: | CN104425225A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 洪中山 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种三重图形的形成方法,包括:提供基底,包括第一区域和第二区域;在基底上形成第一材料层;在第一材料层上形成第二材料层;在第一区域的第二材料层上形成分立的牺牲层,相邻牺牲层之间具有第一间距;在牺牲层的侧壁形成侧墙;去除牺牲层,以侧墙为掩膜,刻蚀所述第二材料层,在第一区域的第一牺牲层上形成第一图形,相邻的第一图形之间具有第二间距和第三间距,第三间距大于第二间距;去除侧墙,形成覆盖一图形和第一材料层的第三材料层;在第三材料层上形成分立的第三图形和第四图形;刻蚀第三材料层,形成第五图形;刻蚀第一材料层,在第一区域的基底上形成三重图形,在第二区域的基底上形成第六图形。本发明的方法满足工艺多样化需求。 | ||
搜索关键词: | 三重 图形 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种三重图形的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括第一区域和第二区域;在所述基底上形成第一材料层;在第一材料层上形成第二材料层;在第一区域的第二材料层上形成若干分立的牺牲层,相邻牺牲层之间具有第一间距;在牺牲层的侧壁形成侧墙;去除所述牺牲层,以所述侧墙为掩膜,刻蚀所述第二材料层,在第一区域的第一牺牲层上形成若干分立的第一图形,所述相邻的第一图形之间具有第二间距和第三间距,第三间距大于第二间距;去除所述侧墙,形成覆盖所述第一图形和第一材料层的第三材料层;在所述第三材料层上形成若干分立的第二图形和若干分立的第三图形,所述第二图形位于第一区域的具有第三间距的第一图形之间的第三材料层上,第三图形位于第二区域的第三材料层上;以所述第二图形和第三图形为掩膜,刻蚀所述第三材料层,形成第四图形;以所述第二图形、第三图形、第四图形和第一图形为掩膜,刻蚀所述第一材料层,在第一区域的基底上形成三重图形,在第二区域的基底上形成第五图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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