[发明专利]三重图形的形成方法

权利要求书

1.一种三重图形的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域；

在所述基底上形成第一材料层；

在第一材料层上形成第二材料层；

在第一区域的第二材料层上形成若干分立的牺牲层，相邻牺牲层之间具有第一间距；

在牺牲层的侧壁形成侧墙；

去除所述牺牲层，以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第二材料层，在第一区域的第一牺牲层上形成若干分立的第一图形，所述相邻的第一图形之间具有第二间距和第三间距，第三间距大于第二间距；

去除所述侧墙，形成覆盖所述第一图形和第一材料层的第三材料层；

在所述第三材料层上形成若干分立的第二图形和若干分立的第三图形，所述第二图形位于第一区域的具有第三间距的第一图形之间的第三材料层上，第三图形位于第二区域的第三材料层上；

以所述第二图形和第三图形为掩膜，刻蚀所述第三材料层，形成第四图形；

以所述第二图形、第三图形、第四图形和第一图形为掩膜，刻蚀所述第一材料层，在第一区域的基底上形成三重图形，在第二区域的基底上形成第五图形。

2.如权利要求1所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述第一间距为90～270纳米。

3.如权利要求2所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的宽度为第一间距的1/6。

4.如权利要求2所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述第二间距为第一间距的1/3。

5.如权利要求4所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述第三间距为第一间距的2/3。

6.如权利要求1所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述第三图形的宽度与第二图形的宽度相同或不相同。

7.如权利要求6所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述第三图形的宽度与第二图形的宽度不相同，且所述第三图形的宽度大于第二图形的宽度。

8.如权利要求7所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述第三图形的宽度大于等于10微米。

9.如权利要求6所述的三重图形的形成方法，其特征在于，相邻第三图形之间的间距与相邻第二图形之间的间距不相同。

10.如权利要求9所述的三重图形的形成方法，其特征在于，相邻第三图形之间的间距大于第一间距的1/3。

11.如权利要求6所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述第二图形的宽度小于第三间距，相邻第二图形之间的间距要大于第一间距的1/2且小于第一间距的1.5倍。

12.如权利要求11所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述第二图形的宽度等于第一图形的宽度，相邻第二图形之间的间距等于第一间距。

13.如权利要求1所述的三重图形的形成方法，其特征在于，相邻第三图形之间的间距大于光刻最小特征尺寸。

14.如权利要求1所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述第二材料层的材料与第一材料层不相同。

15.如权利要求14所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述第一材料层或第二材料层的材料为多晶硅、无定形硅、无定形碳、SiN、SiON、SiCN、SiC、金属或金属氮化物。

16.如权利要求1所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料与第二材料层的材料不相同。

17.如权利要求16所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为光刻胶、多晶硅、无定形硅、无定形碳、SiN、SiON、SiCN、SiC、金属或金属氮化物。

18.如权利要求1所述的三重图形的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料与牺牲层和第二材料层的材料不相同，所述第三材料层与第二材料层的材料不相同，所述第二图形和第三图形的材料与第三材料层的材料不相同。

19.如权利要求1所述的三重图形的形成方法，其特征在于，还包括：在形成第一图形后，刻蚀所述第一图形，将每个第一图形断开为若干分立的第一子图形。

20.如权利要求1所述的三重图形的形成方法，其特征在于，还包括：在形成三重图形和第五图形后，刻蚀所述三重图形和第五图形，将每个三重图形断开若干分立的三重子图形，将每个第五图形断开为若干分立的第五子图形。