[发明专利]Cr-B-C纳米复合薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310397132.8 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103469169A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 王谦之;周飞;陈建云 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种Cr-B-C纳米复合薄膜的制备方法，包括基材和靶材的准备、基材离子清洗、薄膜制备三个步骤，选择合适的工艺参数，采用直流磁控和射频磁控共溅射，在基材上制备Cr-B-C纳米复合薄膜。本发明提供的方法可以在室温下沉积薄膜，大大降低了对基材选择的限制，并且Cr-B-C中金属Cr、非金属B和C的含量可以通过直流和射频磁控溅射靶功率进行调节，制备工艺简单，操作能动性好。 | ||
| 搜索关键词： | cr 纳米 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Cr‑B‑C纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）基材和靶材的准备：将基材打磨抛光并清洗吹干后装夹在载物台上，正对离子束源；将直流磁控靶材和射频磁控靶材分别安装到相应的仪器上，所述的直流磁控靶材、射频磁控靶材含有Cr、B或Cr、B、C元素；2）基材离子清洗：用Ar+离子束轰击基材，清洗和活化基材； 3）薄膜制备：通入高纯氩气或氩气和乙炔混合气体，采用直流磁控和射频磁控共溅射，在基材上制备Cr‑B‑C纳米复合薄膜，工艺参数为：气压4.0~5.0×10‑1Pa；直流磁控溅射功率50~150W；射频磁控溅射功率50~250W；负偏压0~100V；占空比20%~80%；载物台旋转速度0~100rpm；制备温度Rt~300℃；制备时间3~4h。
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