[发明专利]一种CMOS图像传感器的像素单元和阵列及其制作方法有效
| 申请号： | 201310393572.6 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103491323B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 顾学强;周伟;肖慧敏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及其制造方法，属于半导体技术领域。像素单元包括：感光二极管和传输管组，所述传输管组包括若干个分别在源极端和漏极端进行并联的传输管，每个所述传输管的栅极与所述感光二极管的注入区形成大小不同的重叠区，以具备不同的传输效率；所述感光二极管用于进行光电转换以将光子转换为电子；所述传输管组用于根据入射光的照度有选择的启动对应传输效率的传输管进行所述电子的传输，从而将所述电子从所述传输管组的源极端传输到漏极端并转换为电压信号。本发明中，根据入射光的照度有选择的启动传输管组对应传输效率的传输管进行所述电子的传输，实现高灵敏度和高动态这两个指标。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 像素 单元 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的像素单元，其特征在于，包括：感光二极管和传输管组，所述传输管组包括若干个分别在源极端和漏极端进行并联的传输管，每个所述传输管的栅极与所述感光二极管的注入区形成大小不同的重叠区，以具备不同的传输效率；所述感光二极管用于进行光电转换以将光子转换为电子；所述传输管组用于根据入射光的照度有选择的启动对应传输效率的传输管进行所述电子的传输，从而将所述电子从所述传输管组的源极端传输到漏极端并转换为电压信号，其中，当入射光的照度为低光照时，所述传输管组中重叠区较大且具备较高的传输效率的传输管传输所述电子；反之，当入射光的照度为高光照时，所述传输管组中重叠区较小且具备较低的传输效率传输管传输所述电子。
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