[发明专利]一种CMOS图像传感器的像素单元和阵列及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310393572.6 申请日: 2013-09-02
公开(公告)号: CN103491323B 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 顾学强;周伟;肖慧敏 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H01L27/146
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 cmos 图像传感器 像素 单元
【权利要求书】:

1.一种CMOS图像传感器的像素单元,其特征在于,包括:感光二极管和传输管组,所述传输管组包括若干个分别在源极端和漏极端进行并联的传输管,每个所述传输管的栅极与所述感光二极管的注入区形成大小不同的重叠区,以具备不同的传输效率;所述感光二极管用于进行光电转换以将光子转换为电子;所述传输管组用于根据入射光的照度有选择的启动对应传输效率的传输管进行所述电子的传输,从而将所述电子从所述传输管组的源极端传输到漏极端并转换为电压信号,其中,当入射光的照度为低光照时,所述传输管组中重叠区较大且具备较高的传输效率的传输管传输所述电子;反之,当入射光的照度为高光照时,所述传输管组中重叠区较小且具备较低的传输效率传输管传输所述电子。

2.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,还包括:复位管,用于控制对所述感光二极管的复位;所述复位管的漏极连接有漏极电压,所述复位管的源极与所述传输管组的漏极端相连,所述复位管的栅极连接有第一栅极控制电压。

3.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,还包括:源极跟随管,用于对所述电压信号进行放大处理;所述源极跟随管的漏极连接有漏极电压,所述源极跟随管的栅极与所述传输管组的漏极端连接。

4.根据权利要求3所述的像素单元,其特征在于,还包括:行选管,用于控制所述感光二极管的选中;所述行选管的漏极与所述源极跟随管的源极相连,所述行选管的源极与输出电压端连接,所述行选管的栅极连接有第二栅极控制电压。

5.一种图像传感器像素阵列,其特征在于,包括权利要求1至4任意一项所述的像素单元。

6.一种像素单元的制造方法,其特征在于,包括:

在衬底上形成传输管组中分别在源极端和漏极端进行并联的若干个传输管;

在衬底上形成感光二极管的注入区,并使所述注入区与各个传输管的栅极形成大小不同的重叠区,以使各个传输管具有不同的传输效率,当入射光的照度为低光照时,所述传输管组中重叠区较大且具备较高的传输效率的传输管传输电子;反之,当入射光的照度为高光照时,所述传输管组中重叠区较小且具备较低的传输效率传输管传输电子。

7.一种图像传感器像素阵列的制造方法,其特征在于,包括权利要求6所述的制造方法。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310393572.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top