[发明专利]一种磁传感器及其制备工艺

摘要

本发明揭示了一种磁传感器及其制备工艺，所述制备工艺包括：在基底上沉积介质材料，形成第一介质层；在第一介质层上形成沟槽阵列；沟槽开口处的宽度大于深度；沉积磁材料，形成磁材料层；在磁场中进行退火，退火气氛为氮气，或为惰性气体，或为真空；制备填充材料，形成填充材料层，并且把沟槽填平，随后进行光刻工艺；生成磁传感器的图形，形成感应单元，同时通过沟槽的应用形成导磁单元，即在单芯片上形成三轴传感器；制造通孔和电极。本发明提出的三轴传感器及其制备工艺，可优化工艺的流程，并提升传感器的性能。

主权项

一种磁传感器的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括第三方向磁传感装置的制备工艺，具体包括如下步骤：步骤S1、在基底上沉积介质材料，形成第一介质层；步骤S2、在第一介质层上形成沟槽阵列；沟槽开口处的宽度大于等于其深度的一半；步骤S4、沉积磁材料和保护层材料，形成磁材料层；步骤S5、在磁场中进行退火，退火气氛为氮气，或为惰性气体，或为真空；步骤S6、制备填充材料，把沟槽填平，使得后续转变成平面工艺；步骤S7、在填充材料层上涂光刻胶进行光刻；曝光显影后，刻蚀需要去除的填充材料，保留沟槽里的填充材料；以光刻胶和填充材料作为阻挡，刻蚀磁材料上方的保护材料，刻蚀完保护材料后去除光刻胶和填充材料，利用保护材料作为硬掩膜刻蚀去除磁材料；沉积金属层，光刻后形成感应单元，同时通过沟槽的应用形成导磁单元，即在单芯片上形成三轴传感器；所述导磁单元的主体部分设置于沟槽内，用以感应第三方向的磁信号，并将该磁信号输出到感应单元进行测量；感应单元靠近沟槽设置，与导磁单元之间有缝隙，用以测量第一方向或/和第二方向的磁场，结合导磁单元输出的磁信号，能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向的第三方向磁场；第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直；步骤S8、制造通孔和电极。