[发明专利]用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 201310381676.5 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103681993A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 宫崎敦嗣;奥野浩司 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，在该方法中p型覆层具有均一的Mg浓度。p型覆层具有其中交替和重复地沉积AlGaN和InGaN的超晶格结构，并且在其中Mg掺杂剂气体的供给量不同的前过程和后过程的两个阶段中形成。在后过程中Mg掺杂剂气体的供给量是前过程中的一半或更少。在前过程中的第一p型覆层的厚度为是p型覆层的60%或更少，并且为或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 iii 氮化物 半导体 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述第III族氮化物半导体发光器件具有在发光层上的p型覆层，所述p型覆层包含含有Al的第III族氮化物半导体，其中以其中通过MOCVD在所述发光层上形成第一p型覆层的前过程以及以其中通过MOCVD在所述第一p型覆层上形成第二p型覆层的后过程来形成所述p型覆层;并且在所述后过程中Mg掺杂剂气体的供给量是在所述前过程中Mg掺杂剂气体的供给量的一半或更少。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田合成株式会社，未经丰田合成株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310381676.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种所需颜色发光二极管芯片及其制造方法
- 下一篇：高效节能热风炉
