[发明专利]用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述第III族氮化物半导体发光器件具有在发光层上的p型覆层，所述p型覆层包含含有Al的第III族氮化物半导体，其中

以其中通过MOCVD在所述发光层上形成第一p型覆层的前过程以及以其中通过MOCVD在所述第一p型覆层上形成第二p型覆层的后过程来形成所述p型覆层;并且

在所述后过程中Mg掺杂剂气体的供给量是在所述前过程中Mg掺杂剂气体的供给量的一半或更少。

2.根据权利要求1所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在所述前过程中Al原料气体的供给量比在所述后过程中Al原料气体的供给量增加1%至10%。

3.根据权利要求1所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述第一p型覆层的厚度为所述p型覆层的厚度的60%或更少，并且为或更小。

4.根据权利要求2所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述第一p型覆层的厚度为所述p型覆层的厚度的60%或更少，并且为或更少。

5.根据权利要求1所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述p型覆层的厚度为或更大。

6.根据权利要求2所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述p型覆层的厚度为或更大。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述第一p型覆层的Al组成比是5摩尔%至50摩尔%，并且大于所述第二p型覆层的Al组成比。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在所述前过程和所述后过程中供给所述Mg掺杂剂气体，使得所述p型覆层的平均Mg浓度为1×10¹⁹/cm³至5×10²⁰/cm³。

9.根据权利要求7所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在所述前过程和所述后过程中供给所述Mg掺杂剂气体，使得所述p型覆层的平均Mg浓度为1×10¹⁹/cm³至5x10²⁰/cm³。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述p型覆层具有其中交替和重复地沉积InGaN和AlGaN的超晶格结构。

11.根据权利要求7所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述p型覆层具有其中交替和重复地沉积InGaN和AlGaN的超晶格结构。

12.根据权利要求8所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述p型覆层具有其中交替和重复地沉积InGaN和AlGaN的超晶格结构。