[发明专利]非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201310379777.9 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104425598A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 王飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管，包括N型衬底上的N型外延，N型外延上部具有P阱，P阱上部靠近栅氧化膜的一侧具有N+有源区，多晶硅栅位于所述栅氧化膜的上方，其中，所述栅氧化膜下方形成有P阱、N+有源区和N型外延，深沟槽位于P阱和N+有源区远离栅氧化膜一侧的N型外延中，N+有源区与栅氧化膜和多晶硅栅在竖直方向形成有重叠区域。本发明还公开了一种非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管的制作方法。本发明能使用在小尺寸P区、N区的超级结产品中，能减小器件的栅、漏的电容，提高了器件的开关特性，同时本发明的结构减小了JFET的效应，也能降低器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 平面 超级 金属 氧化 半导体 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管，包括N型衬底上的N型外延，N型外延上部具有P阱，P阱上部靠近栅氧化膜的一侧具有N+有源区，多晶硅栅位于所述栅氧化膜的上方，其特征是：所述栅氧化膜下方形成有P阱、N+有源区和N型外延，深沟槽位于P阱和N+有源区远离栅氧化膜一侧的N型外延中，N+有源区与栅氧化膜和多晶硅栅在竖直方向形成有重叠区域。
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