[发明专利]非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管，包括N型衬底上的N型外延，N型外延上部具有P阱，P阱上部靠近栅氧化膜的一侧具有N+有源区，多晶硅栅位于所述栅氧化膜的上方，其特征是：所述栅氧化膜下方形成有P阱、N+有源区和N型外延，深沟槽位于P阱和N+有源区远离栅氧化膜一侧的N型外延中，N+有源区与栅氧化膜和多晶硅栅在竖直方向形成有重叠区域。

2.如权利要求1所述的非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管，其特征是：多晶硅栅和P阱的在竖直方向重叠区域的长度大于1/2其相邻深沟槽的间距。

3.一种非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管的制作方法，其特征是，包括：

1）N型衬底上生长N型外延；

2）在N型外延上注入形成P阱；

3）在P阱的一侧制作深沟槽；

4）在P阱和N型外延上方淀积栅氧化膜和多晶硅，制作栅氧化膜和多晶硅栅；

5）在P阱中靠近深沟槽的一侧注入形成N+有源区，使N+有源区与栅氧化膜和多晶硅栅在竖直方向形成重叠区域。

4.如权利要求3所述的非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管的制作方法，其特征是：实施步骤4），制作多晶硅栅和P阱的在竖直方向重叠区域的长度大于1/2其相邻深沟槽的间距。