[发明专利]一种深孔底部氧化硅绝缘层的刻蚀方法有效

申请号：	201310379664.9	申请日：	2013-08-28
公开（公告）号：	CN103441097A	公开（公告）日：	2013-12-11
发明（设计）人：	于大全;戴风伟;徐成;李昭强	申请（专利权）人：	华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L21/311
代理公司：	上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258	代理人：	任益
地址：	214135 江苏省无锡市菱***	国省代码：	江苏;32
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提供了一种深孔底部绝缘层的刻蚀方法，防止TSV的侧壁和拐角处的绝缘层被刻蚀，有效保护了TSV的侧壁和拐角位置的绝缘层，提高了电的可靠性，其包括以下步骤：（1）对拥有IC器件晶圆进行背面减薄；（2）在拥有IC器件晶圆的背面对应金属焊盘的位置制作TSV孔；（3）在TSV孔内制作绝缘层；（4）去除TSV孔底部的绝缘层以及氧化物绝缘层，使金属焊盘裸露；（5）采用金属连接线制作RDL，使RDL与TSV底部的金属焊盘连接，并进一步制作表面金属焊盘和微凸点，使表面金属焊盘和微凸点与RDL连接，其特征在于：其中在第（4）步去除TSV孔底部的绝缘层前，在拥有IC器件晶圆表面和TSV侧壁上部及拐角处制作金属保护层，在其中在第（4）步去除TSV孔底部的绝缘层以及TSV孔底部的氧化物绝缘层，使金属焊盘暴露出来后剥离所述金属保护层。
搜索关键词：	一种底部氧化绝缘刻蚀方法
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【主权项】：

一种深孔底部氧化硅绝缘层的刻蚀方法，其包括以下步骤：（1）、对拥有IC器件的晶圆进行背面减薄；（2）、在拥有IC器件晶圆的背面对应金属焊盘的位置制作TSV孔；（3）、在TSV孔内制作绝缘层；（4）、去除TSV孔底部的绝缘层以及氧化物绝缘层，使金属焊盘裸露；（5）采用金属连接线制作RDL，使RDL与TSV底部的金属焊盘连接，并进一步制作表面金属焊盘和微凸点，使表面金属焊盘和微凸点与RDL连接；其特征在于：其中在第（4）步去除TSV孔底部的绝缘层前，在拥有IC器件晶圆表面和TSV侧壁上部及拐角处制作金属保护层，在其中在第（4）步去除TSV孔底部的绝缘层以及TSV孔底部的氧化物绝缘层，使金属焊盘暴露出来后剥离所述金属保护层。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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