[发明专利]低逾渗阈值高热稳定性石墨烯复合材料的制备方法无效
申请号: | 201310370964.0 | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN103467871A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 方立骏;侯世杰;江平开 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C08L25/06 | 分类号: | C08L25/06;C08L33/12;C08K9/04;C08K9/06;C08K3/04;C08F292/00;C08F212/08;C08F220/14 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 牛山;陈少凌 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种低逾渗阈值高热稳定性石墨烯复合材料的制备方法,包括以下步骤:氧化石墨烯接枝硅烷偶联剂引入双键;初步改性填料与苯乙烯及甲基丙烯酸甲酯细乳液聚合,制备接枝无规共聚物的改性填料;改性填料与聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯溶液共混,并使用水合肼同步还原;沉淀聚合物,干燥压片。本发明提供的复合材料经TEM测试表明部分填料分布于两相界面,对体系产生良好增容作用,其逾渗阈值仅为0.11vol%,同时SEM测试表明热处理前后相粗化得到抑制,体系热稳定性显著提高,可广泛应用于填充型导电高分子复合材料领域中。 | ||
搜索关键词: | 低逾渗 阈值 高热 稳定性 石墨 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低逾渗阈值、高热稳定性三元石墨烯基导电高分子复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤(1),GO接枝偶联剂KH‑570改性称取100~500mg GO,加入100~500mL去离子水中,超声1~10h并搅拌过夜,随后细胞破碎机25~75%功率下分散10~30min,记为溶液A;另称取1~10g偶联剂KH‑570加入100~500mL、pH为2.0~6.0的去离子水,室温水解1~10h,记为溶液B;将所述溶液A和所述溶液B混合,25~100℃下反应12~24h,然后分离获得沉淀物,并用乙醇洗涤2~3次沉淀物,接着在25~75℃真空干燥12~24h,即得偶联剂改性GO‑KH570;步骤(2),GO‑KH570细乳液聚合接枝St、MMA称取100~500mg所述GO‑KH570、10~50g St和10~50g MMA,混合搅拌、超声各1~10h后,加入100~500mg正十六烷、100~500mg偶氮二异丁腈,冰浴条件下继续搅拌、超声1~2h,得到油相溶液C;按照0.1~1.0wt%十二烷基苯磺酸钠、0.1~1.0wt%烷基酚聚氧乙烯醚,分别称取十二烷基苯磺酸钠和烷基酚聚氧乙烯醚加入去离子水中,25~75℃搅拌1~10h并静置,得到水相溶液D;将所述溶液C与100~500mL所述溶液D混合,25~75℃预乳化1~10h后,冰浴下细胞破碎机25~75%功率分散10~30min,获得混合液;所述混合液在N2保护下升温至25~75℃反应1~10h,随后升至75~100℃反应1~10h;反应结束后继续升温煮沸,加入过量乙醇破乳,分离,收集沉淀物并用热水洗涤,干燥,获得干燥沉淀物;将所述干燥沉淀物在有机溶剂中提纯2~3次,25~75℃真空干燥12~24h后,获得聚合物改性的GO‑P(St‑MMA);步骤(3),三元导电高分子复合材料制备称取10~100mg干燥的所述GO‑P(St‑MMA)溶于10~100mL有机溶剂中,超声1~10h并搅拌过夜,记为溶液E;另称取1~10g用作聚合物基体的PS、1~10g用作聚合物基体的PMMA、10~100mg酚类/亚磷酸酯类抗氧剂复合物在75~100℃条件下溶于10~100mL有机溶剂,记为溶液F;将所述溶液E与所述溶液F混合,搅拌、超声各1~10h后,加入100~500μL水合肼,并在75~100℃下反应12~24h;反应结束后加入过量去离子水沉淀聚合物,抽滤并用去离子水洗涤沉淀物2~3次,沉淀物在75~100℃真空条件下干燥1~10d,即得Gr‑P(St‑MMA)/PS/PMMA混合物,其中Gr即石墨烯;将所述 Gr‑P(St‑MMA)/PS/PMMA混合物在100~200℃、10~100MPa下热压10~30min,得到填料含量0.05~5.0wt%的Gr‑P(St‑MMA)/PS/PMMA三元石墨烯基导电高分子复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310370964.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。