[发明专利]低逾渗阈值高热稳定性石墨烯复合材料的制备方法无效
申请号: | 201310370964.0 | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN103467871A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 方立骏;侯世杰;江平开 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C08L25/06 | 分类号: | C08L25/06;C08L33/12;C08K9/04;C08K9/06;C08K3/04;C08F292/00;C08F212/08;C08F220/14 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 牛山;陈少凌 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低逾渗 阈值 高热 稳定性 石墨 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种低逾渗阈值、高热稳定性三元石墨烯基导电高分子复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤(1),GO接枝偶联剂KH-570改性
称取100~500mg GO,加入100~500mL去离子水中,超声1~10h并搅拌过夜,随后细胞破碎机25~75%功率下分散10~30min,记为溶液A;另称取1~10g偶联剂KH-570加入100~500mL、pH为2.0~6.0的去离子水,室温水解1~10h,记为溶液B;将所述溶液A和所述溶液B混合,25~100℃下反应12~24h,然后分离获得沉淀物,并用乙醇洗涤2~3次沉淀物,接着在25~75℃真空干燥12~24h,即得偶联剂改性GO-KH570;
步骤(2),GO-KH570细乳液聚合接枝St、MMA
称取100~500mg所述GO-KH570、10~50g St和10~50g MMA,混合搅拌、超声各1~10h后,加入100~500mg正十六烷、100~500mg偶氮二异丁腈,冰浴条件下继续搅拌、超声1~2h,得到油相溶液C;按照0.1~1.0wt%十二烷基苯磺酸钠、0.1~1.0wt%烷基酚聚氧乙烯醚,分别称取十二烷基苯磺酸钠和烷基酚聚氧乙烯醚加入去离子水中,25~75℃搅拌1~10h并静置,得到水相溶液D;将所述溶液C与100~500mL所述溶液D混合,25~75℃预乳化1~10h后,冰浴下细胞破碎机25~75%功率分散10~30min,获得混合液;所述混合液在N2保护下升温至25~75℃反应1~10h,随后升至75~100℃反应1~10h;反应结束后继续升温煮沸,加入过量乙醇破乳,分离,收集沉淀物并用热水洗涤,干燥,获得干燥沉淀物;将所述干燥沉淀物在有机溶剂中提纯2~3次,25~75℃真空干燥12~24h后,获得聚合物改性的GO-P(St-MMA);
步骤(3),三元导电高分子复合材料制备
称取10~100mg干燥的所述GO-P(St-MMA)溶于10~100mL有机溶剂中,超声1~10h并搅拌过夜,记为溶液E;另称取1~10g用作聚合物基体的PS、1~10g用作聚合物基体的PMMA、10~100mg酚类/亚磷酸酯类抗氧剂复合物在75~100℃条件下溶于10~100mL有机溶剂,记为溶液F;将所述溶液E与所述溶液F混合,搅拌、超声各1~10h后,加入100~500μL水合肼,并在75~100℃下反应12~24h;反应结束后加入过量去离子水沉淀聚合物,抽滤并用去离子水洗涤沉淀物2~3次,沉淀物在75~100℃真空条件下干燥1~10d,即得Gr-P(St-MMA)/PS/PMMA混合物,其中Gr即石墨烯;将所述Gr-P(St-MMA)/PS/PMMA混合物在100~200℃、10~100MPa下热压10~30min,得到填料含量0.05~5.0wt%的Gr-P(St-MMA)/PS/PMMA三元石墨烯基导电高分子复合材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述溶液A和所述溶液B混合,25~75℃下反应。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)和步骤(2)中,所述分散采用搅拌、超声、细胞破碎或相结合的方法。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)和步骤(2)中,所述分离采用高速离心、真空抽滤、常压过滤或倾倒的方法。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述细乳液聚合使用了乳化剂、助乳化剂和引发剂。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)和步骤(3)中,所述有机溶剂为四氢呋喃、丙酮、二恶烷、二氯甲烷、三氯甲烷、苯、甲苯、二甲苯、二甲基甲酰胺或乙腈。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述三元石墨烯基导电高分子复合材料在真空条件、温度为100~200℃进行干燥。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述热压的温度高于所述聚合物基体熔点20℃以上。
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