[发明专利]SiGe异质结双极晶体管无效
| 申请号： | 201310370791.2 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103441142A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 杨永晖;张志华;刘玉奎;谭开洲;钟怡;张静;申钧;崔伟;梁俊昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SiGe异质结双极晶体管的设计方法，属于微电子与固体电子领域。该方法涉及基区锗含量的分布方式，具体分为第一阶区，梯度区以及第二阶区。其中第一，二阶区的锗含量值恒定，梯度区的锗含量值呈线性递增。在没有增加基区锗总含量的条件下，本发明基区锗含量分布的SiGe异质结双极晶体管器件的电流增益温度稳定性更好，厄尔利电压高，使得厄尔利电压积更高，扩大了器件的应用范围。与此同时，在并未损失太大的器件特征频率情况下，增加了击穿电压，从而提高了器件的品质因子。 | ||
| 搜索关键词： | sige 异质结 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种SiGe异质结双极晶体管，包括集电极区域，基极区域，发射极区域；其中所述基极区域包含SiGe层，所述SiGe层的锗含量分布为阶梯式递增分布方式，SiGe层的平均锗含量不超过20%。
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