[发明专利]SiGe异质结双极晶体管无效
| 申请号： | 201310370791.2 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103441142A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 杨永晖;张志华;刘玉奎;谭开洲;钟怡;张静;申钧;崔伟;梁俊昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sige 异质结 双极晶体管 | ||
1.一种SiGe异质结双极晶体管，包括集电极区域，基极区域，发射极区域；其中所述基极区域包含SiGe层，所述SiGe层的锗含量分布为阶梯式递增分布方式，SiGe层的平均锗含量不超过20%。
2.如权利要求1所述的SiGe异质结双极晶体管，其特征在于：所述基区SiGe层的锗含量为阶梯式递增分布，具体可以分为第一阶区（8），梯度区（10），以及第二阶区（12）。
3.如权利要求2所述的一种SiGe异质结双极晶体管，其特征在于所述第一阶区（8）的锗含量大于0，含量值恒定。
4.如权利要求3所述的SiGe异质结双极晶体管，其特征在于所述第一阶区（8）的锗含量值不超过12%。
5.如权利要求3所述的SiGe异质结双极晶体管，其特征在于所述第一阶区（8）的宽度大于0，且小于基区宽度的50%。
6.如权利要求2所述的SiGe异质结双极晶体管，其特征在于所述梯度区（10）的锗含量分布为线性递增分布，锗含量起始值等于第一阶区（8）的锗含量值。
7.如权利要求6所述的SiGe异质结双极晶体管，其特征在于所述梯度区（10）的宽度大于0，且小于基区宽度的50%。
8.如权利要求2所述的SiGe异质结双极晶体管，其特征在于所述第二阶区（12）的锗含量值大于第一阶区（8）锗含量值，含量值恒定。
9.如权利要求8所述的SiGe异质结双极晶体管，其特征在于所述第二阶区（12）的锗含量值不超过30%。
10.如权利要求8所述的SiGe异质结双极晶体管，其特征在于所述第二阶区（12）宽度大于0，且小于基区宽度的50%。
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