[发明专利]一种晶体硅片的制绒设备及制绒工艺方法有效
申请号: | 201310369031.X | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN103441070A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 邓建华;左国军 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 胡朝阳;孙洁敏 |
地址: | 213125 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶体硅片的制绒设备,包括主槽槽组、副槽槽组、烘干处理系统、传动系统和控制系统,所述的主槽槽组包括依次设置的混酸制绒槽、喷淋水洗槽、碱制绒槽、喷淋水洗槽、酸处理槽、喷淋水洗槽,其中:所述的混酸制绒槽、碱制绒槽和酸处理槽均采用双层槽结构,其包括下槽、由下槽槽底向上伸出并高出其顶端的上槽,所述上槽的长、宽均小于下槽的长、宽。本发明对制绒设备中的加热系统、补液系统、传动系统、主槽结构,以及主槽中的挡水组件和主槽之间的密封结构进行了特殊设计,同时对制绒工艺方法做了改进,极大地提高了多晶硅的转换效率,从而提高了生产效率,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 硅片 设备 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体硅片的制绒设备,包括主槽槽组、副槽槽组、烘干处理系统、传动系统和控制系统,所述的主槽槽组包括依次设置的混酸制绒槽、喷淋水洗槽、碱制绒槽、喷淋水洗槽、酸处理槽、喷淋水洗槽,其特征在于:所述的混酸制绒槽、碱制绒槽和酸处理槽均采用双层槽结构,其包括下槽、由下槽槽底向上伸出并高出其顶端的上槽,所述上槽的长、宽均小于下槽的长、宽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造