[发明专利]一种晶体硅片的制绒设备及制绒工艺方法

权利要求书

1.一种晶体硅片的制绒设备，包括主槽槽组、副槽槽组、烘干处理系统、传动系统和控制系统，所述的主槽槽组包括依次设置的混酸制绒槽、喷淋水洗槽、碱制绒槽、喷淋水洗槽、酸处理槽、喷淋水洗槽，其特征在于：所述的混酸制绒槽、碱制绒槽和酸处理槽均采用双层槽结构，其包括下槽、由下槽槽底向上伸出并高出其顶端的上槽，所述上槽的长、宽均小于下槽的长、宽。

2.如权利要求1所述晶体硅片的制绒设备，其特征在于：所述的主槽槽组中相邻的槽之间均设有密封结构。

3.如权利要求1所述晶体硅片的制绒设备，其特征在于：所述的混酸制绒槽、碱制绒槽和酸处理槽均设置有自动补液系统；所述的碱制绒槽还设置有在线加热及槽外循环系统。

4.如权利要求1所述晶体硅片的制绒设备，其特征在于：所述的自动补液系统包括依次连接的进液管、补液桶、补液管；进、补液管上分别设置有与所述控制系统连接的进、补液控制阀，所述的补液桶内设有超声波液位仪，其一端从补液桶中伸出并与控制系统连接；所述的补液控制阀包括一对相并联的精补阀和粗补阀。

5.如权利要求1所述晶体硅片的制绒设备，其特征在于：所述的在线加热及槽外循环系统包括加热组件、循环泵；所述的加热组件包括一导磁且耐腐蚀的加热桶、缠绕于加热桶外层的感应线圈，和与感应线圈端头连接的电磁控制器；所述的加热桶外壁设有一层保温棉，所述的感应线圈缠绕在保温棉外层；所述的加热桶、循环泵与一副槽通过管路依次连接形成循环回路；

所述的在线加热及槽外循环系统还包括一设于碱制绒槽中的温度检测仪，该温度检测仪连接所述控制系统，控制系统发送信号至所述电磁控制器，电磁控制器接收所述信号并控制所述加热组件开启或关闭。

6.如权利要求1所述晶体硅片的制绒设备，其特征在于：所述的密封结构包括设于主槽槽体两侧壁顶部的封板，设于相邻两封板上的盖板；所述的封板向槽体外侧倾斜，所述的盖板为倒V字形；所述的盖板与封板之间还设有密封条，所述的盖板、密封条和封板通过螺钉形成紧密连接。

7.如权利要求1所述晶体硅片的制绒设备，其特征在于：所述的主槽中设有挡水组件，包括固定于槽体底板的固定板，和安装在固定板上的可上下滑动的挡水板，还包括固定在槽体侧板上的边板；所述固定板与边板、挡水板贴合安装，所述边板的侧边与固定板、挡水板之间设有间隙；

所述的挡水组件还包括安装在所述挡水板外侧的高度调节装置，该装置上端横向伸出一卡件，顶部设有一手柄；所述的挡水板上设有与所述卡件配合的调节孔；

所述的边板为一直角弯折板，其上一弯折面与所述固定板贴合；

所述的固定板顶端设有凹槽，凹槽的长度小于所述挡水板的长度。

8.一种晶体硅片的制绒工艺方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1：首先将硅片置于温度控制在10℃-12℃，体积浓度在6-7 %的HF和37-40%的HNO3的混合溶液中浸泡1-1.5分钟，进行酸腐蚀处理，达到对硅片背面去PSG的目的； 

步骤2：将酸腐蚀后的硅片随即流转至12-16MΩ·cm纯水中以喷淋的方式进行清洗，以尽量降低酸液在硅片表面的附着为目的；

步骤3：再将硅片放入温度控制在70-80℃，体积浓度在13-18%的TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液中进行2-3分钟的碱腐蚀处理，经此工艺可将硅片背面反射率提高到40%以上，从而达到对硅片背面进行抛光目的；

步骤4：将碱腐蚀后的硅片也随即流转至12-16MΩ·cm纯水中以喷淋的方式进行清洗，以尽量降低碱液在硅片表面的附着为目的；

步骤5：然后将硅片流转至体积浓度在8-10%的HF溶液中浸泡1-1.5分钟，进行酸腐蚀处理，达到对硅片正面去PSG的目的； 

步骤6：将酸洗后的硅片随即流转至12-16MΩ·cm纯水中以喷淋的方式进行清洗，以尽量降低酸液和硅片表面附着物为目的；

步骤7：将以上处理过的硅片进行干燥处理，保证硅片表面无水迹，以利于硅片进入后面的生产流程。

9.如权利要求8所述晶体硅片的制绒工艺方法，其特征在于：步骤1、3、5中均采用所述的自动补液系统补充对应的溶液，以保证溶液的适当配比。

10.如权利要求8所述晶体硅片的制绒工艺方法，其特征在于：步骤3中采用所述的在线加热及槽外循环系统对溶液进行加热，以保证溶液的适当温度。