[发明专利]用于制造直接转换的X射线探测器的半导体元件的方法

摘要

发明涉及一种直接转换的X射线探测器的半导体元件的制造方法，其中在半导体层（HL）上将至少一个中间层（ZS1-ZS3）和至少一个接触层（KS）以分别从溶液中无电流地化学沉积接触材料的方式施加到暴露的中间层上。根据本发明这样选择用于各个层的材料，使得至少一个中间层（ZS1-ZS3）的材料的电化学势大于半导体层（HL）的至少一个元素的电化学势，并且接触层（KS）的接触材料的电化学势大于中间层（ZS1-ZS3）的材料的电化学势。属于本发明的范围的还有：根据之前描绘的方法制造的用于直接转换的X射线探测器的半导体元件、具有这种半导体元件的X射线探测器、具有这种X射线探测器的X射线系统以及具有这种X射线探测器的CT系统。

主权项

一种用于制造直接转换的X射线探测器的半导体元件的方法，具有如下方法步骤：1.1基于II至VI族元素产生半导体层（HL），1.2施加至少一个中间层（ZS1‑ZS3），其方式为，从用以浸湿半导体基底的溶液中无电流地化学沉积中间层的材料（A，B，C），1.3将至少一个接触层（KS）施加到暴露的中间层上，其方式为，从用以浸湿暴露的中间层的溶液中无电流地化学沉积接触材料，其特征在于，1.4将用于各个层的材料使用为使得所述至少一个中间层（ZS1‑ZS3）的材料的电化学势大于所述半导体层（HL）的至少一个元素的电化学势，并且所述接触层（KS）的接触材料的电化学势大于所述中间层（ZS1‑ZS3）的材料的电化学势。