[发明专利]用于制造直接转换的X射线探测器的半导体元件的方法

权利要求书

1.一种用于制造直接转换的X射线探测器的半导体元件的方法，具有如下方法步骤：

1.1基于II至VI族元素产生半导体层（HL），

1.2施加至少一个中间层（ZS1-ZS3），其方式为，从用以浸湿半导体基底的溶液中无电流地化学沉积中间层的材料（A，B，C），

1.3将至少一个接触层（KS）施加到暴露的中间层上，其方式为，从用以浸湿暴露的中间层的溶液中无电流地化学沉积接触材料，

其特征在于，

1.4将用于各个层的材料使用为使得所述至少一个中间层（ZS1-ZS3）的材料的电化学势大于所述半导体层（HL）的至少一个元素的电化学势，并且所述接触层（KS）的接触材料的电化学势大于所述中间层（ZS1-ZS3）的材料的电化学势。

2.根据上述权利要求1所述的方法，其特征在于，直接施加到所述半导体层（HL）上的第一中间层（ZS1）是以所述第一中间层（ZS1）的材料的溶液来施加的，其中所述第一中间层（ZS1）的材料（A）的氧化还原电势大于所述半导体层（HL）的元素中的至少一个的氧化还原电势。

3.根据上述权利要求2所述的方法，其特征在于，直接施加在所述半导体层（HL）上的第一中间层（ZS1）是以所述第一中间层（ZS1）的材料的溶液来施加的，其中所述第一中间层（ZS1）的材料（A）的氧化还原电势大于所述半导体层（HL）的所有元素的氧化还原电势。

4.根据上述权利要求2或3所述的方法，其特征在于，每个另外施加的其它中间层（ZS2，ZS3）都是以所述其它中间层（ZS2，ZS3）的材料的溶液来施加的，其中，所述其它中间层（ZS2，ZS3）的材料（B，C）的氧化还原电势大于之前的中间层（ZS1）的材料（A）的氧化还原电势。

5.根据上述权利要求2至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述接触层（KS）是以所述接触材料的溶液来施加的，其中，所述接触材料的氧化还原电势大于之前的中间层（ZS1-ZS3）的材料（A，B，C）的氧化还原电势。

6.根据上述权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，将金属用作所述中间层（ZS1-ZS3）的材料（A，B，C）。

7.根据上述权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，施加不同的元素（A，B，C）的至少两个、优选恰好两个或恰好三个中间层（ZS1-ZS3），这些中间层形成由所述不同的元素（A，B，C）的合金制成的中间层部（ZL）。

8.根据上述权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，施加不同的材料（A，B，C）的至少两个、优选恰好两个或恰好三个中间层（ZS1-ZS3），这些层至少在这些层的边界区域中形成不同材料的合金、优选地邻接的层的不同材料的合金。

9.根据上述权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，将金属用作所述接触层（KS）的接触材料。

10.根据上述权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，使用包含元素Cd和Te的半导体材料。

11.根据上述权利要求10所述的方法，其特征在于，将满足分子式Cd_xMn_1-xTe_ySe_1-y其中0≤x，y≤1的材料用作半导体材料。

12.根据上述权利要求10所述的方法，其特征在于，使用附加地包含元素Zn的半导体材料。

13.根据上述权利要求12所述的方法，其特征在于，将满足分子式Cd_xZn_1-xTe_ySe_1-y其中0≤x，y≤1的材料用作半导体材料。

14.根据上述权利要求1至13中任一项所述的方法，其特征在于，通过分别使用的溶液的作用时间的长度确定每个单位面积上所施加材料的单个量。

15.根据上述权利要求1至14中任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体层（HL）仅部分地以溶液来浸湿，以便仅在预定的区域上沉积所述材料（A，B，C）。

16.根据上述权利要求15所述的方法，其特征在于，为了仅部分地浸湿所述半导体层（HL）而以保护层覆盖不应被浸湿的部分平面。