[发明专利]快闪存储器及快闪存储器的制作方法在审
| 申请号： | 201310365605.6 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425386A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 刘欣;宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种快闪存储器及快闪存储器的制作方法，其中快闪存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隧穿介质层、浮栅导电层以及掩膜层；图形化所述掩膜层，以图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀浮栅导电层、隧穿介质层和部分厚度的半导体衬底，形成浅沟槽；形成填充满所述浅沟槽的隔离层；去除掩膜层；在浮栅导电层表面形成位于隔离层侧壁的导电侧墙；去除部分厚度的隔离层暴露出导电侧墙的侧壁；形成栅间介质层，所述栅间介质层覆盖隔离层、导电侧墙以及浮栅导电层；在所述栅间介质层表面形成控制栅导电层。本发明提高了快闪存储器耦合率，制作的快闪存储器具有低工作电压以及低功耗的优异性能。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 制作方法 | ||
【主权项】：
一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隧穿介质层、位于隧穿介质层表面的浮栅导电层以及位于浮栅导电层表面的掩膜层；图形化所述掩膜层，以图形化的掩膜层为掩膜，依次刻蚀浮栅导电层、隧穿介质层和部分厚度的半导体衬底，形成浅沟槽；形成填充满所述浅沟槽的隔离层，所述隔离层顶部与掩膜层表面齐平；去除掩膜层；在浮栅导电层表面形成导电侧墙且所述导电侧墙位于隔离层侧壁；去除部分厚度的隔离层暴露出导电侧墙的侧壁；形成栅间介质层，所述栅间介质层覆盖隔离层、导电侧墙以及浮栅导电层表面；在所述栅间介质层表面形成控制栅导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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